因为铋盐无毒，所以现在甲基磺酸酸体系电镀工艺中，采用甲基磺酸铋代替甲基磺酸铅。
如果以三氯化铋为原料与甲基磺酸进行盐的复分解反应制得甲基磺酸铋，该方法生产过程中产生大量氯离子，难以除掉，影响产品质量，同时产生大量盐酸气体污染环境。现介绍一种合成工艺简单、反应快速、产品质量优越、成本最低、不产生三废的微电子用甲基磺酸秘的制备工艺。
采用单质秘在氧化剂的作用下与甲基磺酸反应，反应温度控制在60-140℃，反应时间2-4小时，反应液经冷却到20-50℃结晶，抽滤母液反回使用，甲基磺酸铋结晶配制得每升含秘200克的溶液，然后过滤即得微电子用高纯甲基磺酸铋。
实例：想10升反应釜投单质铋6千克，甲基磺酸12千克，在氧化剂存在下加热成40℃，反应4小时，升温到120℃，然后冷却结晶，得到甲基磺酸铋结晶，配置成每升含铋200克的溶液，过滤得甲基磺酸铋产品0千克。
